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行業(yè)新聞

IC芯片用途及作用

IC芯片用途及作用

IC芯片(Integrated Circuit Chip)是一種集成了多個電子元件(如晶體管、電阻、電容等)的微小芯片。IC芯片具有廣泛的用途和作用,包括但不限于以下幾個方面:

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MOS管如何分類:

MOS管如何分類:

MOS管如何分類:

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分析熱電阻工作原理

分析熱電阻工作原理

熱電阻的工作原理

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熱電阻常見故障處理

熱電阻常見故障處理

熱電阻(Thermistor)是一種電阻隨溫度變化的電子元件,一般應(yīng)用于溫度測量、電子溫控、電子溫度補償、溫度自動控制等領(lǐng)域。熱電阻工作原理主要涉及材料的選擇、電阻值的測量以及溫度敏感特性的應(yīng)用等方面,下面將詳...

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簡單形容mos場效應(yīng)管就是一個電控開關(guān)!

簡單形容mos場效應(yīng)管就是一個電控開關(guān)!

簡單形容mos場效應(yīng)管就是一個電控開關(guān)!

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電子元器件采購需要掌握哪些基礎(chǔ)知識?

電子元器件采購需要掌握哪些基礎(chǔ)知識?

作為一名電子元器件采購,不僅需要靈活的業(yè)務(wù)能力,也需要掌握電子元器件的分類、型號識別、用途等專業(yè)基礎(chǔ)知識,才能為企業(yè)提供更專業(yè)的采購建議。

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快恢復(fù)二極管的作用

快恢復(fù)二極管的作用

快恢復(fù)二極管的作用

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場效應(yīng)管的中類以及它的特點:

場效應(yīng)管的中類以及它的特點:

場效應(yīng)管的中類以及它的特點:

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MOS管場效應(yīng)管的作用有哪些?

MOS管場效應(yīng)管的作用有哪些?

場效應(yīng)管的作用:

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MOS管導(dǎo)通特性是什么?

MOS管導(dǎo)通特性是什么?

MOS管導(dǎo)通特性是什么?

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MOS管工作原理圖電源開關(guān)電路詳解如下:

MOS管工作原理圖電源開關(guān)電路詳解如下:

它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的為增強型MOS

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TVS二極管在便攜設(shè)備ESD中的應(yīng)用優(yōu)勢

TVS二極管在便攜設(shè)備ESD中的應(yīng)用優(yōu)勢

TVS二極管在便攜設(shè)備ESD中的應(yīng)用優(yōu)勢

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貼片三極管的種類與作用

貼片三極管的種類與作用

貼片三極管的種類與作用

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場效應(yīng)管作用是什么?

場效應(yīng)管作用是什么?

給大家講解以下幾點:

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關(guān)于MOSFET這些一定要知道【圖文分享】-XINPUXIN MOS管

關(guān)于MOSFET這些一定要知道【圖文分享】-XINPUXIN MOS管

MOSFET就是我們俗稱的MOS管,常用的就是用MOS管來做開關(guān)器件。

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教你如何正確選擇MOS管產(chǎn)品-XINPUXIN MOS管

教你如何正確選擇MOS管產(chǎn)品-XINPUXIN MOS管

芯普芯教你正確選擇MOS管重要的一個環(huán)節(jié),MOS管選擇不好就可能影響到整個電路的功率使用,會造成雪崩等原因,了解不同的MOS管部件的細微差別及不同開關(guān)電路中的參數(shù),我們能夠幫助工程師避免諸多問題,下...

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在開關(guān)電源電路中,大功率MOS管和大功率晶體三極管相比MOS管的優(yōu)點

在開關(guān)電源電路中,大功率MOS管和大功率晶體三極管相比MOS管的優(yōu)點

輸入阻抗高,驅(qū)動功率小——由于柵源之間是二氧化硅(SiO2)絕緣層,柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻,一般達100MΩ左右,交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高,對激勵信號不會產(chǎn)生壓...

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MOS管的特性

MOS管的特性

MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于Sio2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時的柵極電壓VGS決...

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5G產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟,能否打破5G中高頻核心器件國外壟斷?加速推動5G消息高質(zhì)量發(fā)展

5G產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟,能否打破5G中高頻核心器件國外壟斷?加速推動5G消息高質(zhì)量發(fā)展

具體到射頻器件,隨著5G試用或商用,由于頻段的增加,器件數(shù)量也隨之增加。僅就手機使用的射頻前端模塊(由功率放大器(PA)、濾波器、雙工器、射頻開關(guān)、低噪聲放大器、接收機、發(fā)射機等組成),每增加一個頻段,...

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MOS管的構(gòu)造

MOS管的構(gòu)造

在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個電極,分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si0...

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